Quote BOM List IC IDW30C65D2 ວົງຈອນປະສົມປະສານທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ
ຄຸນລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ
ປະເພດ | ລາຍລະອຽດ |
ປະເພດ | ຜະລິດຕະພັນ Semiconductor ແຍກກັນ |
Mfr | ເຕັກໂນໂລຍີ Infineon |
ຊຸດ | ໄວ 2 |
ຊຸດ | ທໍ່ |
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ | ເຄື່ອນໄຫວ |
ການຕັ້ງຄ່າ Diode | 1 ຄູ່ Cathode ທົ່ວໄປ |
ປະເພດ Diode | ມາດຕະຖານ |
ແຮງດັນ – DC Reverse (Vr) (ສູງສຸດ) | 650 ວ |
ປະຈຸບັນ – ການແກ້ໄຂສະເລ່ຍ (Io) (ຕໍ່ Diode) | 15 ກ |
ແຮງດັນ – Forward (Vf) (ສູງສຸດ) @ ຖ້າ | 2.2 V @ 15 ກ |
ຄວາມໄວ | ການຟື້ນຕົວໄວ =< 500ns, > 200mA (Io) |
ເວລາການຟື້ນຕົວຄືນ (trr) | 32 ນ |
ປະຈຸບັນ – Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ – Junction | -40°C ~ 175°C |
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ | ຜ່ານຂຸມ |
ການຫຸ້ມຫໍ່ / ກໍລະນີ | TO-247-3 |
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະໜອງ | PG-TO247-3-1 |
ໝາຍເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ | IDW30C65 |
ເອກະສານ ແລະສື່
ປະເພດຊັບພະຍາກອນ | ລິ້ງ |
ເອກະສານຂໍ້ມູນ | IDW30C65D2 |
ເອກະສານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງອື່ນໆ | ຄູ່ມືເລກສ່ວນ |
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ HTML | IDW30C65D2 |
ການຈັດປະເພດສິ່ງແວດລ້ອມ ແລະສົ່ງອອກ
ຄຸນສົມບັດ | ລາຍລະອຽດ |
ສະຖານະ RoHS | ສອດຄ່ອງ ROHS3 |
ລະດັບຄວາມອ່ອນໄຫວຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ (MSL) | 1 (ບໍ່ຈຳກັດ) |
ສະຖານະການເຂົ້າເຖິງ | ເຂົ້າເຖິງບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0080 |
ຊັບພະຍາກອນເພີ່ມເຕີມ
ຄຸນສົມບັດ | ລາຍລະອຽດ |
ຊື່ອື່ນໆ | SP001174452 2156-IDW30C65D2XKSA1 IFEINFIDW30C65D2XKSA1 |
ຊຸດມາດຕະຖານ | 240 |
Diodes ແມ່ນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ double-terminal ທີ່ດໍາເນີນການໃນປະຈຸບັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຢູ່ໃນທິດທາງດຽວ (ການປະພຶດທີ່ບໍ່ສົມດຸນ);ມັນມີຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາໃນທິດທາງດຽວ (ໂດຍສະເພາະສູນ) ແລະຄວາມຕ້ານທານສູງໃນທິດທາງອື່ນ (ໂດຍສະເພາະບໍ່ມີຂອບເຂດ).ທໍ່ສູນຍາກາດ diode ຫຼື thermoelectron diode ແມ່ນທໍ່ສູນຍາກາດທີ່ມີສອງ electrodes, cathode ຄວາມຮ້ອນແລະແຜ່ນທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກສາມາດໄຫຼຈາກ cathode ໄປຫາແຜ່ນໃນທິດທາງດຽວ.A semiconductor diode, ປະເພດທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປທີ່ສຸດໃນມື້ນີ້, ເປັນວັດສະດຸ semiconductor crystalline ກັບ pn junction ເຊື່ອມຕໍ່ກັບສອງປາຍໄຟຟ້າ.
ຫນ້າທີ່ທົ່ວໄປທີ່ສຸດຂອງ diode ແມ່ນເພື່ອອະນຸຍາດໃຫ້ປະຈຸບັນຜ່ານໄປໃນທິດທາງດຽວ (ເອີ້ນວ່າທິດທາງໄປຂ້າງຫນ້າຂອງ diode), ໃນຂະນະທີ່ຕັນມັນໃນທິດທາງກົງກັນຂ້າມ (ປີ້ນກັບກັນ).ໃນວິທີການນີ້, diode ສາມາດໄດ້ຮັບການເບິ່ງເປັນສະບັບເອເລັກໂຕຣນິກຂອງວາວກັບຄືນ.ພຶດຕິກໍາທາງດຽວນີ້ເອີ້ນວ່າການແກ້ໄຂແລະຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປ່ຽນກະແສໄຟຟ້າສະຫຼັບ (ac) ເປັນກະແສໂດຍກົງ (dc).Rectifiers, ໃນຮູບແບບຂອງ diodes, ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບວຽກງານເຊັ່ນ: ການສະກັດ modulation ຈາກສັນຍານວິທະຍຸໃນເຄື່ອງຮັບວິທະຍຸ.
ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກລັກສະນະ nonlinear ໃນປະຈຸບັນ - ແຮງດັນຂອງ diode, ພຶດຕິກໍາຂອງມັນສາມາດສະລັບສັບຊ້ອນຫຼາຍກ່ວາການປະຕິບັດການສະຫຼັບງ່າຍດາຍນີ້.ໄດໂອດ semiconductor ດໍາເນີນການໄຟຟ້າພຽງແຕ່ເມື່ອມີແຮງດັນໄຟຟ້າຫຼືແຮງດັນຂາເຂົ້າໃນທິດທາງຂ້າງຫນ້າ (diode ໄດ້ຖືກກ່າວວ່າຢູ່ໃນລັດອະຄະຕິຂ້າງຫນ້າ).ແຮງດັນຫຼຸດລົງຢູ່ໃນທັງສອງສົ້ນຂອງ diode ລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າແຕກຕ່າງກັນພຽງແຕ່ເລັກນ້ອຍກັບປະຈຸບັນແລະເປັນຫນ້າທີ່ຂອງອຸນຫະພູມ.ຜົນກະທົບນີ້ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຊັນເຊີອຸນຫະພູມຫຼືແຮງດັນໄຟຟ້າອ້າງອີງ.ນອກຈາກນັ້ນ, ເມື່ອແຮງດັນໄຟຟ້າປີ້ນກັບທັງສອງສົ້ນຂອງ diode ບັນລຸຄ່າທີ່ເອີ້ນວ່າແຮງດັນທີ່ແຕກຫັກ, ຄວາມຕ້ານທານສູງຂອງ diode ຕໍ່ການໄຫຼຂອງ reverse ທັນທີທັນໃດຫຼຸດລົງເປັນຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ.
ຄຸນລັກສະນະຂອງແຮງດັນໄຟຟ້າໃນປະຈຸບັນຂອງ diodes semiconductor ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ໂດຍການເລືອກວັດສະດຸ semiconductor ແລະແນະນໍາ doping impurities ໃນວັດສະດຸໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຜະລິດ.ເຕັກນິກເຫຼົ່ານີ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງ diodes ພິເສດທີ່ປະຕິບັດຫນ້າທີ່ແຕກຕ່າງກັນຫຼາຍ.ຕົວຢ່າງເຊັ່ນ, diodes ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຄວບຄຸມແຮງດັນ (Zener diodes), ປົກປ້ອງວົງຈອນຈາກແຮງດັນສູງ (diodes avalanche), ວິທະຍຸເອເລັກໂຕຣນິກແລະເຄື່ອງຮັບສັນຍານໂທລະພາບ (diodes varator) ເພື່ອຜະລິດ RF oscillations (diodes tunnel), Gunn diodes, IMPATT diodes. , ແລະຜະລິດແສງສະຫວ່າງ (diodes emitting ແສງສະຫວ່າງ).Tunnel diodes, Gunn diodes, ແລະ IMPATT diodes ມີການຕໍ່ຕ້ານທາງລົບ, ເຊິ່ງເປັນປະໂຫຍດໃນ microwave ແລະວົງຈອນສະຫຼັບ.
ທັງ diodes ສູນຍາກາດແລະ diodes semiconductor ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງກໍາເນີດສຽງລົບກວນ.