(STOCK) BSS138NH6327 ສ່ວນປະກອບອີເລັກໂທຣນິກໃຫມ່ແລະຕົ້ນສະບັບ ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ
ຄຸນລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ
| ປະເພດ | ລາຍລະອຽດ |
| ປະເພດ | ຜະລິດຕະພັນ Semiconductor ແຍກກັນ |
| Mfr | ເຕັກໂນໂລຍີ Infineon |
| ຊຸດ | SIPMOS® |
| ຊຸດ | ເທບ ແລະ ມ້ວນ (TR) ແຜ່ນຕັດ (CT) Digi-Reel® |
| ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ | ເຄື່ອນໄຫວ |
| ປະເພດ FET | N-ຊ່ອງ |
| ເຕັກໂນໂລຊີ | MOSFET (ໂລຫະອອກໄຊ) |
| ລະບາຍນ້ຳໄປຫາແຮງດັນແຫຼ່ງ (Vdss) | 60 ວ |
| ປະຈຸບັນ – Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ Rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ Rds ເປີດ) | 4.5V, 10V |
| Rds On (ສູງສຸດ) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 230mA, 10V |
| Vgs(th) (ສູງສຸດ) @ Id | 1.4V @ 26µA |
| ຄ່າບໍລິການປະຕູ (Qg) (ສູງສຸດ) @ Vgs | 1.4 nC @ 10 V |
| Vgs (ສູງສຸດ) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (ສູງສຸດ) @ Vds | 41 pF @ 25 V |
| ຄຸນນະສົມບັດ FET | - |
| ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ) | 360mW (Ta) |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ປະເພດການຕິດຕັ້ງ | Surface Mount |
| ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະໜອງ | PG-SOT23 |
| ການຫຸ້ມຫໍ່ / ກໍລະນີ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ໝາຍເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ | BSS138 |
ເອກະສານ ແລະສື່
| ປະເພດຊັບພະຍາກອນ | ລິ້ງ |
| ເອກະສານຂໍ້ມູນ | BSS138N |
| ເອກະສານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງອື່ນໆ | ຄູ່ມືເລກສ່ວນ |
| ຜະລິດຕະພັນທີ່ໂດດເດັ່ນ | ລະບົບປະມວນຜົນຂໍ້ມູນ |
| ແຜ່ນຂໍ້ມູນ HTML | ເອກະສານຂໍ້ມູນ BSS138N |
| ຮູບແບບ EDA | BSS138NH6327XTSA2 ໂດຍ Ultra Librarian |
| ຕົວແບບຈໍາລອງ | MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model |
ການຈັດປະເພດສິ່ງແວດລ້ອມ ແລະສົ່ງອອກ
| ຄຸນສົມບັດ | ລາຍລະອຽດ |
| ສະຖານະ RoHS | ສອດຄ່ອງ ROHS3 |
| ລະດັບຄວາມອ່ອນໄຫວຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ (MSL) | 1 (ບໍ່ຈຳກັດ) |
| ສະຖານະການເຂົ້າເຖິງ | ເຂົ້າເຖິງບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
ຊັບພະຍາກອນເພີ່ມເຕີມ
| ຄຸນສົມບັດ | ລາຍລະອຽດ |
| ຊື່ອື່ນໆ | BSS138NH6327XTSA1 SP000919330 BSS138N H6327-ND BSS138NH6327XTSA2DKR BSS138NH6327XTSA2CT BSS138NH6327XTSA2 ບໍ່ເຄື່ອນໄຫວ BSS138NH6327XTSA2TR BSS138NH6327XTSA2-ND BSS138N H6327 SP000639080 |
| ຊຸດມາດຕະຖານ | 3,000 |
transistor ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຫຼືສະຫຼັບຄວບຄຸມເອເລັກໂຕຣນິກ.Transistors ແມ່ນສິ່ງກໍ່ສ້າງພື້ນຖານທີ່ຄວບຄຸມການເຮັດວຽກຂອງຄອມພິວເຕີ, ໂທລະສັບມືຖື, ແລະວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທັນສະໄຫມທັງຫມົດ.
ເນື່ອງຈາກຄວາມໄວຕອບສະຫນອງໄວແລະຄວາມຖືກຕ້ອງສູງ, transistors ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຫຼາກຫຼາຍຂອງຫນ້າທີ່ດິຈິຕອນແລະອະນາລັອກ, ລວມທັງການຂະຫຍາຍ, ສະຫຼັບ, ຄວບຄຸມແຮງດັນ, ສັນຍານ modulation ແລະ oscillator.Transistors ສາມາດຖືກຫຸ້ມຫໍ່ເປັນສ່ວນບຸກຄົນຫຼືຢູ່ໃນພື້ນທີ່ຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍທີ່ສາມາດຖື transistors 100 ລ້ານຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ.
ເມື່ອປຽບທຽບກັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, transistor ມີຂໍ້ດີຫຼາຍ:
ອົງປະກອບບໍ່ມີການບໍລິໂພກ
ບໍ່ວ່າທໍ່ນັ້ນຈະດີເທົ່າໃດ, ມັນຈະຄ່ອຍໆຊຸດໂຊມຍ້ອນການປ່ຽນແປງຂອງອະຕອມ cathode ແລະການຮົ່ວໄຫຼຂອງອາກາດຊໍາເຮື້ອ.ສໍາລັບເຫດຜົນດ້ານວິຊາການ, transistors ມີບັນຫາດຽວກັນໃນເວລາທີ່ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກຜະລິດຄັ້ງທໍາອິດ.ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານວັດສະດຸແລະການປັບປຸງໃນຫຼາຍດ້ານ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ transistors ມີອາຍຸ 100 ຫາ 1,000 ເທົ່າຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.
ໃຊ້ພະລັງງານຫນ້ອຍຫຼາຍ
ມັນເປັນພຽງແຕ່ຫນຶ່ງສ່ວນສິບຫຼືສິບຂອງຫນຶ່ງຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ມັນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງ filament ເພື່ອຜະລິດເອເລັກໂຕຣນິກຟຣີເຊັ່ນທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ວິທະຍຸ transistor ພຽງແຕ່ຕ້ອງການຫມໍ້ໄຟແຫ້ງບໍ່ຫຼາຍປານໃດເພື່ອຟັງສໍາລັບຫົກເດືອນຕໍ່ປີ, ຊຶ່ງເປັນການຍາກທີ່ຈະເຮັດສໍາລັບວິທະຍຸທໍ່.
ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງ preheat
ເຮັດວຽກທັນທີທີ່ທ່ານເປີດມັນ.ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ວິທະຍຸ transistor ປິດທັນທີທີ່ມັນເປີດ, ແລະໂທລະທັດ transistor ຕັ້ງຮູບພາບທັນທີທີ່ມັນເປີດ.ອຸປະກອນທໍ່ສູນຍາກາດບໍ່ສາມາດເຮັດໄດ້.ຫຼັງຈາກ boot ໄດ້, ລໍຖ້າສໍາລັບໃນຂະນະທີ່ໄດ້ຍິນສຽງ, ເບິ່ງຮູບ.ເຫັນໄດ້ຊັດເຈນ, ໃນການທະຫານ, ການວັດແທກ, ການບັນທຶກ, ແລະອື່ນໆ, transistors ມີປະໂຫຍດຫຼາຍ.
ເຂັ້ມແຂງແລະເຊື່ອຖືໄດ້
100 ເວລາທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຫຼາຍກ່ວາທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, ການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກ, ການຕໍ່ຕ້ານການສັ່ນສະເທືອນ, ເຊິ່ງແມ່ນ incomparable ກັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຂະຫນາດຂອງ transistor ມີພຽງແຕ່ຫນຶ່ງສ່ວນສິບຫາຫນຶ່ງຮ້ອຍຂອງຂະຫນາດຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, ການປ່ອຍຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍຫຼາຍ, ສາມາດນໍາໃຊ້ໃນການອອກແບບວົງຈອນຂະຫນາດນ້ອຍ, ສະລັບສັບຊ້ອນ, ເຊື່ອຖືໄດ້.ເຖິງແມ່ນວ່າຂະບວນການຜະລິດຂອງ transistor ແມ່ນຊັດເຈນ, ຂະບວນການແມ່ນງ່າຍດາຍ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການປັບປຸງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການຕິດຕັ້ງຂອງອົງປະກອບ.
