Quote BOM ລາຍການ IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N ວົງຈອນລວມ

ຄຸນລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ

ເອກະສານ ແລະສື່

ການຈັດປະເພດສິ່ງແວດລ້ອມ ແລະສົ່ງອອກ

ຊັບພະຍາກອນເພີ່ມເຕີມ

Diodes ແມ່ນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ double-terminal ທີ່ດໍາເນີນການໃນປະຈຸບັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຢູ່ໃນທິດທາງດຽວ (ການປະພຶດທີ່ບໍ່ສົມດຸນ);ມັນມີຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາໃນທິດທາງດຽວ (ໂດຍສະເພາະສູນ) ແລະຄວາມຕ້ານທານສູງໃນທິດທາງອື່ນ (ໂດຍສະເພາະບໍ່ມີຂອບເຂດ).ທໍ່ສູນຍາກາດ diode ຫຼື thermoelectron diode ແມ່ນທໍ່ສູນຍາກາດທີ່ມີສອງ electrodes, cathode ຄວາມຮ້ອນແລະແຜ່ນທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກສາມາດໄຫຼຈາກ cathode ໄປຫາແຜ່ນໃນທິດທາງດຽວ.A semiconductor diode, ປະ​ເພດ​ທີ່​ໃຊ້​ທົ່ວ​ໄປ​ທີ່​ສຸດ​ໃນ​ມື້​ນີ້​, ເປັນ​ວັດ​ສະ​ດຸ semiconductor crystalline ກັບ pn junction ເຊື່ອມ​ຕໍ່​ກັບ​ສອງ​ປາຍ​ໄຟ​ຟ້າ​.

ຫນ້າທີ່ທົ່ວໄປທີ່ສຸດຂອງ diode ແມ່ນເພື່ອອະນຸຍາດໃຫ້ປະຈຸບັນຜ່ານໄປໃນທິດທາງດຽວ (ເອີ້ນວ່າທິດທາງໄປຂ້າງຫນ້າຂອງ diode), ໃນຂະນະທີ່ຕັນມັນໃນທິດທາງກົງກັນຂ້າມ (ປີ້ນກັບກັນ).ໃນວິທີການນີ້, diode ສາມາດໄດ້ຮັບການເບິ່ງເປັນສະບັບເອເລັກໂຕຣນິກຂອງວາວກັບຄືນ.ພຶດຕິກໍາທາງດຽວນີ້ເອີ້ນວ່າການແກ້ໄຂແລະຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປ່ຽນກະແສໄຟຟ້າສະຫຼັບ (ac) ເປັນກະແສໂດຍກົງ (dc).Rectifiers, ໃນຮູບແບບຂອງ diodes, ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບວຽກງານເຊັ່ນ: ການສະກັດ modulation ຈາກສັນຍານວິທະຍຸໃນເຄື່ອງຮັບວິທະຍຸ.

ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກລັກສະນະ nonlinear ໃນປະຈຸບັນ - ແຮງດັນຂອງ diode, ພຶດຕິກໍາຂອງມັນສາມາດສະລັບສັບຊ້ອນຫຼາຍກ່ວາການປະຕິບັດການສະຫຼັບງ່າຍດາຍນີ້.ໄດໂອດ semiconductor ດໍາເນີນການໄຟຟ້າພຽງແຕ່ເມື່ອມີແຮງດັນໄຟຟ້າຫຼືແຮງດັນຂາເຂົ້າໃນທິດທາງຂ້າງຫນ້າ (diode ໄດ້ຖືກກ່າວວ່າຢູ່ໃນລັດອະຄະຕິຂ້າງຫນ້າ).ແຮງດັນຫຼຸດລົງຢູ່ໃນທັງສອງສົ້ນຂອງ diode ລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າແຕກຕ່າງກັນພຽງແຕ່ເລັກນ້ອຍກັບປະຈຸບັນແລະເປັນຫນ້າທີ່ຂອງອຸນຫະພູມ.ຜົນກະທົບນີ້ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຊັນເຊີອຸນຫະພູມຫຼືແຮງດັນໄຟຟ້າອ້າງອີງ.ນອກຈາກນັ້ນ, ເມື່ອແຮງດັນໄຟຟ້າປີ້ນກັບທັງສອງສົ້ນຂອງ diode ບັນລຸຄ່າທີ່ເອີ້ນວ່າແຮງດັນທີ່ແຕກຫັກ, ຄວາມຕ້ານທານສູງຂອງ diode ຕໍ່ການໄຫຼຂອງ reverse ທັນທີທັນໃດຫຼຸດລົງເປັນຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ.

ຄຸນລັກສະນະຂອງແຮງດັນໄຟຟ້າໃນປະຈຸບັນຂອງ diodes semiconductor ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ໂດຍການເລືອກວັດສະດຸ semiconductor ແລະແນະນໍາ doping impurities ໃນວັດສະດຸໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຜະລິດ.ເຕັກນິກເຫຼົ່ານີ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງ diodes ພິເສດທີ່ປະຕິບັດຫນ້າທີ່ແຕກຕ່າງກັນຫຼາຍ.ຕົວຢ່າງເຊັ່ນ, diodes ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຄວບຄຸມແຮງດັນ (Zener diodes), ປົກປ້ອງວົງຈອນຈາກແຮງດັນສູງ (diodes avalanche), ວິທະຍຸເອເລັກໂຕຣນິກແລະເຄື່ອງຮັບສັນຍານໂທລະພາບ (diodes varator) ເພື່ອຜະລິດ RF oscillations (diodes tunnel), Gunn diodes, IMPATT diodes. , ແລະຜະລິດແສງສະຫວ່າງ (diodes emitting ແສງສະຫວ່າງ).Tunnel diodes, Gunn diodes, ແລະ IMPATT diodes ມີການຕໍ່ຕ້ານທາງລົບ, ເຊິ່ງເປັນປະໂຫຍດໃນ microwave ແລະວົງຈອນສະຫຼັບ.

ທັງ diodes ສູນຍາກາດແລະ diodes semiconductor ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງກໍາເນີດສຽງລົບກວນ.