UC2843BD1013TR IC chip ປະສົມປະສານວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກ semiconductor ຍີ່ຫໍ້ໃຫມ່ແລະຕົ້ນສະບັບຫນຶ່ງຈຸດຊື້
ຄຸນລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ
| ປະເພດ | ລາຍລະອຽດ |
| ປະເພດ | ວົງຈອນລວມ (ICs) |
| Mfr | STMicroelectronics |
| ຊຸດ | - |
| ຊຸດ | ເທບ ແລະ ມ້ວນ (TR) ແຜ່ນຕັດ (CT) Digi-Reel® |
| SPQ | 2500 |
| ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ | ເຄື່ອນໄຫວ |
| ປະເພດຜົນຜະລິດ | Transistor Driver |
| ຟັງຊັນ | ກ້າວຂຶ້ນ, ກ້າວຂຶ້ນ/ກ້າວລົງ |
| Output Configuration | ໃນທາງບວກ, ສາມາດໂດດດ່ຽວ |
| Topology | Boost, Flyback |
| ຈໍານວນຜົນໄດ້ຮັບ | 1 |
| ໄລຍະຜົນຜະລິດ | 1 |
| ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ (Vcc/Vdd) | 7.6V ~ 30V |
| ຄວາມຖີ່ - ສະຫຼັບ | ເຖິງ 500kHz |
| ຮອບວຽນໜ້າທີ່ (ສູງສຸດ) | 96% |
| Synchronous Rectifier | No |
| Sync ໂມງ | No |
| ການໂຕ້ຕອບ Serial | - |
| ຄຸນນະສົມບັດການຄວບຄຸມ | ການຄວບຄຸມຄວາມຖີ່ |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ | -25°C ~ 85°C (TA) |
| ປະເພດການຕິດຕັ້ງ | Surface Mount |
| ການຫຸ້ມຫໍ່ / ກໍລະນີ | 8-SOIC (0.154", ກວ້າງ 3.90mm) |
| ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະໜອງ | 8-SOIC |
| ໝາຍເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ | UC2843B |
ປະເພດວົງຈອນປະສົມປະສານ
1.LDO, ຫຼືຕົວຄວບຄຸມການຫຼຸດລົງຕ່ໍາ, ແມ່ນຕົວຄວບຄຸມເສັ້ນ dropout ຕ່ໍາທີ່ໃຊ້ transistor ຫຼືທໍ່ສົ່ງຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ (FET) ປະຕິບັດການໃນພາກພື້ນການອີ່ມຕົວຂອງມັນເພື່ອຫັກແຮງດັນເກີນຈາກແຮງດັນຂາເຂົ້າເພື່ອຜະລິດແຮງດັນຂາອອກທີ່ຖືກຄວບຄຸມ.
ສີ່ອົງປະກອບຕົ້ນຕໍແມ່ນ Dropout, Noise, Power Supply Rejection Ratio (PSRR), ແລະ Quiescent Current Iq.
ອົງປະກອບຕົ້ນຕໍ: ວົງຈອນເລີ່ມຕົ້ນ, ຫນ່ວຍຄວາມລໍາອຽງຂອງແຫຼ່ງໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່, ວົງຈອນການເປີດໃຊ້ງານ, ອົງປະກອບການປັບ, ແຫຼ່ງອ້າງອີງ, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍຄວາມຜິດ, ເຄືອຂ່າຍຕ້ານທານຄວາມຄິດເຫັນແລະວົງຈອນປ້ອງກັນ, ແລະອື່ນໆ.
2. ຫຼັກການປະຕິບັດ
ວົງຈອນພື້ນຖານ LDO ປະກອບດ້ວຍຊຸດຄວບຄຸມ VT, ຕົວຕ້ານທານຕົວຢ່າງ R1 ແລະ R2, ແລະເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງປຽບທຽບ A.
ລະບົບໄດ້ເປີດພະລັງງານ, ຖ້າ PIN ເປີດຢູ່ໃນລະດັບສູງ, ວົງຈອນເລີ່ມຕົ້ນ, ວົງຈອນແຫຼ່ງໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່ສະຫນອງຄວາມລໍາອຽງໃຫ້ກັບວົງຈອນທັງຫມົດ, ແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງອ້າງອີງຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນຢ່າງໄວວາ, ແລະແຮງດັນ input ທີ່ບໍ່ໄດ້ຄວບຄຸມຖືກນໍາໃຊ້ເປັນແຮງດັນໄຟຟ້າ. ຂອງການສະຫນອງພະລັງງານ, ແຮງດັນການອ້າງອິງຖືກນໍາໃຊ້ເປັນແຮງດັນ input ໄລຍະທາງລົບຂອງເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຄວາມຜິດພາດ, ເຄືອຂ່າຍຄວາມຄິດເຫັນຂອງ resistor ແບ່ງແຮງດັນຜົນຜະລິດແລະໄດ້ຮັບແຮງດັນຄໍາຕິຊົມ, ແຮງດັນຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນນີ້ແມ່ນ input ກັບ terminal ທິດທາງດຽວກັນຂອງຕົວປຽບທຽບຄວາມຜິດພາດ, ແລະທາງລົບ ແຮງດັນຄໍາຕິຊົມນີ້ແມ່ນ input ກັບດ້ານ isotropic ຂອງການປຽບທຽບຄວາມຜິດພາດແລະປຽບທຽບກັບແຮງດັນອ້າງອີງທາງລົບ.ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງສອງແຮງດັນແມ່ນຂະຫຍາຍໂດຍເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງທີ່ຜິດພາດເພື່ອຄວບຄຸມປະຕູໂດຍກົງຂອງອົງປະກອບປັບພະລັງງານ, ແລະຜົນຜະລິດຂອງ LDO ແມ່ນຖືກຄວບຄຸມໂດຍການປ່ຽນສະຖານະ conduction ຂອງທໍ່ປັບ, ie Vout = (R1 + R2)/ R2 × Vref
ເຄື່ອງຄວບຄຸມເສັ້ນສາຍ dropout ຕົວຈິງຍັງມີຫນ້າທີ່ອື່ນໆເຊັ່ນ: ການປ້ອງກັນວົງຈອນສັ້ນ, ການປິດກະແສໄຟຟ້າ, ການປິດຄວາມຮ້ອນ, ການປ້ອງກັນການເຊື່ອມຕໍ່ຄືນ, ແລະອື່ນໆ.
3.ຂໍ້ດີ, ຂໍ້ເສຍ, ແລະສະຖານະພາບໃນປະຈຸບັນ
Low Dropout Voltage (LDO) linear regulators are low cost , low noise , low quiescent current , a few ອົງປະກອບພາຍນອກ, ປົກກະຕິແລ້ວພຽງແຕ່ຫນຶ່ງຫຼືສອງ capacitor bypass, ແລະມີສຽງຂອງຕົນເອງຕ່ໍາຫຼາຍແລະອັດຕາການປະຕິເສດການສະຫນອງພະລັງງານສູງ (PSRR).LDO ເປັນລະບົບຂະໜາດນ້ອຍເທິງຊິບ (SoC) ທີ່ມີການບໍລິໂພກເອງຕໍ່າຫຼາຍ.ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຄວບຄຸມຊ່ອງທາງຕົ້ນຕໍໃນປະຈຸບັນແລະມີວົງຈອນຮາດແວປະສົມປະສານເຊັ່ນ MOSFETs ທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາສຸດໃນເສັ້ນ, Schottky diodes, ຕົວຕ້ານທານຕົວຢ່າງ, ແລະຕົວແບ່ງແຮງດັນ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການປ້ອງກັນ over-Current, ການປ້ອງກັນອຸນຫະພູມເກີນ, ແຫຼ່ງອ້າງອີງຄວາມແມ່ນຍໍາ, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ເຄື່ອງຊັກຊ້າ, ແລະອື່ນໆ PG ແມ່ນການຜະລິດໃຫມ່ຂອງ LDO ທີ່ມີການທົດສອບຕົນເອງສໍາລັບແຕ່ລະລັດຜົນຜະລິດແລະການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ຊັກຊ້າ, ເຊິ່ງຍັງສາມາດເອີ້ນວ່າ Power Good, ie "ພະລັງງານດີຫຼືພະລັງງານທີ່ຫມັ້ນຄົງ" .LDOs ຈໍານວນຫຼາຍຕ້ອງການຕົວເກັບປະຈຸພຽງແຕ່ຫນຶ່ງຢູ່ທີ່ວັດສະດຸປ້ອນແລະຫນຶ່ງຢູ່ທີ່ຜົນຜະລິດສໍາລັບການເຮັດວຽກທີ່ຫມັ້ນຄົງ.
LDOs ໃຫມ່ສາມາດບັນລຸໄດ້ສະເພາະດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: ສິ່ງລົບກວນຜົນຜະລິດຂອງ 30µV, PSRR ຂອງ 60dB, ປະຈຸບັນ quiescent ຂອງ 6µA, ແລະການຫຼຸດລົງແຮງດັນພຽງແຕ່ 100mV.ເຫດຜົນຕົ້ນຕໍສໍາລັບການປະຕິບັດການປັບປຸງຂອງ LDO linear regulators ແມ່ນວ່າເຄື່ອງຄວບຄຸມທີ່ໃຊ້ແມ່ນ P-channel MOSFET, ທີ່ມີແຮງດັນໄຟຟ້າແລະບໍ່ຕ້ອງການກະແສໄຟຟ້າ, ການຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກໂດຍອຸປະກອນຂອງມັນເອງແລະການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນໃນທົ່ວມັນ.ການຫຼຸດລົງແມ່ນປະມານເທົ່າກັບຜະລິດຕະພັນຂອງຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່.ແຮງດັນຫຼຸດລົງໃນທົ່ວ MOSFET ແມ່ນຕໍ່າຫຼາຍເນື່ອງຈາກຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາຂອງມັນ.ເຄື່ອງຄວບຄຸມເສັ້ນຊື່ທົ່ວໄປໃຊ້ transistors PNP.ໃນວົງຈອນທີ່ມີ transistor PNP, ການຫຼຸດລົງແຮງດັນລະຫວ່າງ input ແລະ output ຈະຕ້ອງບໍ່ຕໍ່າເກີນໄປເພື່ອປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ transistor PNP ເຂົ້າໄປໃນຄວາມອີ່ມຕົວແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສາມາດຂອງຜົນຜະລິດ.
