order_bg

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ

ວົງຈອນປະສົມປະສານ IRFR3504ZTRPBF ຕິດຕໍ່ລາຄາທີ່ດີທີ່ສຸດ IC Chip IRFR3504ZTRPBF

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຄຸນລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ

ປະເພດ ລາຍລະອຽດ
ປະເພດ ຜະລິດຕະພັນ Semiconductor ແຍກກັນ

Transistors – FETs, MOSFET – Single

Mfr ເຕັກໂນໂລຍີ Infineon
ຊຸດ HEXFET®
ຊຸດ ເທບ ແລະ ມ້ວນ (TR)

ແຜ່ນຕັດ (CT)

Digi-Reel®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ ເຄື່ອນໄຫວ
ປະເພດ FET N-ຊ່ອງ
ເຕັກໂນໂລຊີ MOSFET (ໂລຫະອອກໄຊ)
ລະບາຍນ້ຳໄປຫາແຮງດັນແຫຼ່ງ (Vdss) 40 ວ
ປະຈຸບັນ – Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ Rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ Rds ເປີດ) 10V
Rds On (ສູງສຸດ) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (ສູງສຸດ) @ Id 4V @ 250µA
ຄ່າບໍລິການປະຕູ (Qg) (ສູງສຸດ) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Vgs (ສູງສຸດ) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (ສູງສຸດ) @ Vds 1510 pF @ 25 V
ຄຸນນະສົມບັດ FET -
ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ) 90W (Tc)
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ Surface Mount
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະໜອງ D-Pak
ການຫຸ້ມຫໍ່ / ກໍລະນີ TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ໝາຍເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ IRFR3504

ເອກະສານ ແລະສື່

ປະເພດຊັບພະຍາກອນ ລິ້ງ
ເອກະສານຂໍ້ມູນ IRF(R,U)3504ZPbF
ເອກະສານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງອື່ນໆ ລະບົບເລກສ່ວນ IR
ໂມດູນການຝຶກອົບຮົມຜະລິດຕະພັນ Discrete Power MOSFETs 40V ແລະຂ້າງລຸ່ມນີ້

ວົງຈອນລວມແຮງດັນສູງ (HVIC Gate Drivers)

ຊັບພະຍາກອນການອອກແບບ IRFR3504Z Saber Model
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໂດດເດັ່ນ ລະບົບປະມວນຜົນຂໍ້ມູນ
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ HTML IRF(R,U)3504ZPbF

ການຈັດປະເພດສິ່ງແວດລ້ອມ ແລະສົ່ງອອກ

ຄຸນສົມບັດ ລາຍລະອຽດ
ສະຖານະ RoHS ສອດຄ່ອງ ROHS3
ລະດັບຄວາມອ່ອນໄຫວຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ (MSL) 1 (ບໍ່ຈຳກັດ)
ສະຖານະການເຂົ້າເຖິງ ເຂົ້າເຖິງບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

ຊັບພະຍາກອນເພີ່ມເຕີມ

ຄຸນສົມບັດ ລາຍລະອຽດ
ຊື່ອື່ນໆ IRFR3504ZPBFDKR

IRFR3504ZTRPBF-ND

SP001556956

IRFR3504ZPBBFCT

*IRFR3504ZTRPBF

IRFR3504ZPBFTR

IRFR3504ZTRPBFTR-ND

ຊຸດມາດຕະຖານ 2,000

transistor ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຫຼືສະຫຼັບຄວບຄຸມເອເລັກໂຕຣນິກ.Transistors ແມ່ນສິ່ງກໍ່ສ້າງພື້ນຖານທີ່ຄວບຄຸມການເຮັດວຽກຂອງຄອມພິວເຕີ, ໂທລະສັບມືຖື, ແລະວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທັນສະໄຫມທັງຫມົດ.

ເນື່ອງຈາກຄວາມໄວຕອບສະຫນອງໄວແລະຄວາມຖືກຕ້ອງສູງ, transistors ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຫຼາກຫຼາຍຂອງຫນ້າທີ່ດິຈິຕອນແລະອະນາລັອກ, ລວມທັງການຂະຫຍາຍ, ສະຫຼັບ, ຄວບຄຸມແຮງດັນ, ສັນຍານ modulation ແລະ oscillator.Transistors ສາມາດຖືກຫຸ້ມຫໍ່ເປັນສ່ວນບຸກຄົນຫຼືຢູ່ໃນພື້ນທີ່ຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍທີ່ສາມາດຖື transistors 100 ລ້ານຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, transistor ມີຂໍ້ດີຫຼາຍ:

1.Component ບໍ່ມີການບໍລິໂພກ

ບໍ່ວ່າທໍ່ນັ້ນຈະດີເທົ່າໃດ, ມັນຈະຄ່ອຍໆຊຸດໂຊມຍ້ອນການປ່ຽນແປງຂອງອະຕອມ cathode ແລະການຮົ່ວໄຫຼຂອງອາກາດຊໍາເຮື້ອ.ສໍາລັບເຫດຜົນດ້ານວິຊາການ, transistors ມີບັນຫາດຽວກັນໃນເວລາທີ່ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກຜະລິດຄັ້ງທໍາອິດ.ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານວັດສະດຸແລະການປັບປຸງໃນຫຼາຍດ້ານ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ transistors ມີອາຍຸ 100 ຫາ 1,000 ເທົ່າຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.

2.Consume ພະລັງງານຫນ້ອຍຫຼາຍ

ມັນເປັນພຽງແຕ່ຫນຶ່ງສ່ວນສິບຫຼືສິບຂອງຫນຶ່ງຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ມັນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງ filament ເພື່ອຜະລິດເອເລັກໂຕຣນິກຟຣີເຊັ່ນທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ວິທະຍຸ transistor ພຽງ​ແຕ່​ຕ້ອງ​ການ​ຫມໍ້​ໄຟ​ແຫ້ງ​ບໍ່​ຫຼາຍ​ປານ​ໃດ​ເພື່ອ​ຟັງ​ສໍາ​ລັບ​ຫົກ​ເດືອນ​ຕໍ່​ປີ​, ຊຶ່ງ​ເປັນ​ການ​ຍາກ​ທີ່​ຈະ​ເຮັດ​ສໍາ​ລັບ​ວິ​ທະ​ຍຸ​ທໍ່​.

3.ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງ preheat

ເຮັດວຽກທັນທີທີ່ທ່ານເປີດມັນ.ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ວິທະຍຸ transistor ປິດທັນທີທີ່ມັນເປີດ, ແລະໂທລະທັດ transistor ຕັ້ງຮູບພາບທັນທີທີ່ມັນເປີດ.ອຸປະກອນທໍ່ສູນຍາກາດບໍ່ສາມາດເຮັດໄດ້.ຫຼັງຈາກ boot ໄດ້, ລໍຖ້າສໍາລັບໃນຂະນະທີ່ໄດ້ຍິນສຽງ, ເບິ່ງຮູບ.ຢ່າງຊັດເຈນ, ໃນການທະຫານ, ການວັດແທກ, ການບັນທຶກ, ແລະອື່ນໆ, transistors ມີປະໂຫຍດຫຼາຍ.

4.ທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະເຊື່ອຖືໄດ້

100 ເວລາທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຫຼາຍກ່ວາທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, ການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກ, ການຕໍ່ຕ້ານການສັ່ນສະເທືອນ, ເຊິ່ງແມ່ນ incomparable ກັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຂະຫນາດຂອງ transistor ມີພຽງແຕ່ຫນຶ່ງສ່ວນສິບຫາຫນຶ່ງຮ້ອຍຂອງຂະຫນາດຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, ການປ່ອຍຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍຫຼາຍ, ສາມາດນໍາໃຊ້ໃນການອອກແບບວົງຈອນຂະຫນາດນ້ອຍ, ສະລັບສັບຊ້ອນ, ເຊື່ອຖືໄດ້.ເຖິງແມ່ນວ່າຂະບວນການຜະລິດຂອງ transistor ແມ່ນຊັດເຈນ, ຂະບວນການແມ່ນງ່າຍດາຍ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການປັບປຸງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການຕິດຕັ້ງຂອງອົງປະກອບ.


  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ