order_bg

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ

IPD031N06L3G ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ ic chip ບໍລິການ MCU BOM ໃນຫຼັກຊັບ IPD031N06L3G

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຄຸນລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ

ປະເພດ ລາຍລະອຽດ
ປະເພດ ຜະລິດຕະພັນ Semiconductor ແຍກກັນ

Transistors – FETs, MOSFET – Single

Mfr ເຕັກໂນໂລຍີ Infineon
ຊຸດ OptiMOS™
ຊຸດ ເທບ ແລະ ມ້ວນ (TR)

ແຜ່ນຕັດ (CT)

Digi-Reel®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ ເຄື່ອນໄຫວ
ປະເພດ FET N-ຊ່ອງ
ເຕັກໂນໂລຊີ MOSFET (ໂລຫະອອກໄຊ)
ລະບາຍນ້ຳໄປຫາແຮງດັນແຫຼ່ງ (Vdss) 60 ວ
ປະຈຸບັນ – Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ Rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ Rds ເປີດ) 4.5V, 10V
Rds On (ສູງສຸດ) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (ສູງສຸດ) @ Id 2.2V @ 93µA
ຄ່າບໍລິການປະຕູ (Qg) (ສູງສຸດ) @ Vgs 79 nC @ 4.5 ວ.ສ
Vgs (ສູງສຸດ) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (ສູງສຸດ) @ Vds 13000 pF @ 30 V
ຄຸນນະສົມບັດ FET -
ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ) 167W (Tc)
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ Surface Mount
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະໜອງ PG-TO252-3
ການຫຸ້ມຫໍ່ / ກໍລະນີ TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ໝາຍເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ IPD031

ເອກະສານ ແລະສື່

ປະເພດຊັບພະຍາກອນ ລິ້ງ
ເອກະສານຂໍ້ມູນ IPD031N06L3 G
ເອກະສານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງອື່ນໆ ຄູ່ມືເລກສ່ວນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໂດດເດັ່ນ ລະບົບປະມວນຜົນຂໍ້ມູນ
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ HTML IPD031N06L3 G
ຕົວແບບຈໍາລອງ MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model

ການຈັດປະເພດສິ່ງແວດລ້ອມ ແລະສົ່ງອອກ

ຄຸນສົມບັດ ລາຍລະອຽດ
ສະຖານະ RoHS ສອດຄ່ອງ ROHS3
ລະດັບຄວາມອ່ອນໄຫວຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ (MSL) 1 (ບໍ່ຈຳກັດ)
ສະຖານະການເຂົ້າເຖິງ ເຂົ້າເຖິງບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

ຊັບພະຍາກອນເພີ່ມເຕີມ

ຄຸນສົມບັດ ລາຍລະອຽດ
ຊື່ອື່ນໆ IPD031N06L3G

IPD031N06L3 GTR-ND

IPD031N06L3 GDKR

IPD031N06L3 G-ND

IPD031N06L3GATMA1TR

IPD031N06L3 GCT-ND

IPD031N06L3 G

IPD031N06L3GATMA1DKR

IPD031N06L3GATMA1CT

SP000451076

IPD031N06L3 GCT

IPD031N06L3 GDKR-ND

ຊຸດມາດຕະຖານ 2,500

transistor ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຫຼືສະຫຼັບຄວບຄຸມເອເລັກໂຕຣນິກ.Transistors ແມ່ນສິ່ງກໍ່ສ້າງພື້ນຖານທີ່ຄວບຄຸມການເຮັດວຽກຂອງຄອມພິວເຕີ, ໂທລະສັບມືຖື, ແລະວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທັນສະໄຫມທັງຫມົດ.

ເນື່ອງຈາກຄວາມໄວຕອບສະຫນອງໄວແລະຄວາມຖືກຕ້ອງສູງ, transistors ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຫຼາກຫຼາຍຂອງຫນ້າທີ່ດິຈິຕອນແລະອະນາລັອກ, ລວມທັງການຂະຫຍາຍ, ສະຫຼັບ, ຄວບຄຸມແຮງດັນ, ສັນຍານ modulation ແລະ oscillator.Transistors ສາມາດຖືກຫຸ້ມຫໍ່ເປັນສ່ວນບຸກຄົນຫຼືຢູ່ໃນພື້ນທີ່ຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍທີ່ສາມາດຖື transistors 100 ລ້ານຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, transistor ມີຂໍ້ດີຫຼາຍ:

1.Component ບໍ່ມີການບໍລິໂພກ

ບໍ່ວ່າທໍ່ນັ້ນຈະດີເທົ່າໃດ, ມັນຈະຄ່ອຍໆຊຸດໂຊມຍ້ອນການປ່ຽນແປງຂອງອະຕອມ cathode ແລະການຮົ່ວໄຫຼຂອງອາກາດຊໍາເຮື້ອ.ສໍາລັບເຫດຜົນດ້ານວິຊາການ, transistors ມີບັນຫາດຽວກັນໃນເວລາທີ່ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກຜະລິດຄັ້ງທໍາອິດ.ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານວັດສະດຸແລະການປັບປຸງໃນຫຼາຍດ້ານ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ transistors ມີອາຍຸ 100 ຫາ 1,000 ເທົ່າຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.

2.Consume ພະລັງງານຫນ້ອຍຫຼາຍ

ມັນເປັນພຽງແຕ່ຫນຶ່ງສ່ວນສິບຫຼືສິບຂອງຫນຶ່ງຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ມັນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງ filament ເພື່ອຜະລິດເອເລັກໂຕຣນິກຟຣີເຊັ່ນທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ວິທະຍຸ transistor ພຽງ​ແຕ່​ຕ້ອງ​ການ​ຫມໍ້​ໄຟ​ແຫ້ງ​ບໍ່​ຫຼາຍ​ປານ​ໃດ​ເພື່ອ​ຟັງ​ສໍາ​ລັບ​ຫົກ​ເດືອນ​ຕໍ່​ປີ​, ຊຶ່ງ​ເປັນ​ການ​ຍາກ​ທີ່​ຈະ​ເຮັດ​ສໍາ​ລັບ​ວິ​ທະ​ຍຸ​ທໍ່​.

3.ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງ preheat

ເຮັດວຽກທັນທີທີ່ທ່ານເປີດມັນ.ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ວິທະຍຸ transistor ປິດທັນທີທີ່ມັນເປີດ, ແລະໂທລະທັດ transistor ຕັ້ງຮູບພາບທັນທີທີ່ມັນເປີດ.ອຸປະກອນທໍ່ສູນຍາກາດບໍ່ສາມາດເຮັດໄດ້.ຫຼັງຈາກ boot ໄດ້, ລໍຖ້າສໍາລັບໃນຂະນະທີ່ໄດ້ຍິນສຽງ, ເບິ່ງຮູບ.ເຫັນໄດ້ຊັດເຈນ, ໃນການທະຫານ, ການວັດແທກ, ການບັນທຶກ, ແລະອື່ນໆ, transistors ມີປະໂຫຍດຫຼາຍ.

4.ທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະເຊື່ອຖືໄດ້

100 ເວລາທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຫຼາຍກ່ວາທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, ການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກ, ການຕໍ່ຕ້ານການສັ່ນສະເທືອນ, ເຊິ່ງແມ່ນ incomparable ກັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຂະຫນາດຂອງ transistor ມີພຽງແຕ່ຫນຶ່ງສ່ວນສິບຫາຫນຶ່ງຮ້ອຍຂອງຂະຫນາດຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, ການປ່ອຍຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍຫຼາຍ, ສາມາດນໍາໃຊ້ໃນການອອກແບບວົງຈອນຂະຫນາດນ້ອຍ, ສະລັບສັບຊ້ອນ, ເຊື່ອຖືໄດ້.ເຖິງແມ່ນວ່າຂະບວນການຜະລິດຂອງ transistor ແມ່ນຊັດເຈນ, ຂະບວນການແມ່ນງ່າຍດາຍ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການປັບປຸງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການຕິດຕັ້ງຂອງອົງປະກອບ.


  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ